Vafer od-silicijevog oksida visokih performansi za integrirane krugove

Ploča od-silicijskog oksida visokih performansi za integrirane krugove pomno je projektirana za najzahtjevnije primjene u proizvodnji poluvodiča. Napravljena od ultra-čistog silicijevog dioksida (SiO₂), ova pločica idealna je za upotrebu u proizvodnji naprednih integriranih sklopova (IC), mikroelektromehaničkih sustava (MEMS), senzora i druge visoko{3}}tehnološke mikroelektronike. Poznata po svojim vrhunskim dielektričnim svojstvima, besprijekornoj završnoj obradi površine i visokoj toplinskoj stabilnosti, ova pločica osigurava visoku-kvalitetu, pouzdane performanse u izradi sljedeće-generacije elektronike. Dizajnirana kako bi ispunila rigorozne zahtjeve istraživanja i-velike proizvodnje, nudi izvrsnu električnu izolaciju i optimizirana je za precizne procese izrade uzoraka i jetkanja. Bilo da se koristi za izradu prototipova IC-a ili-veliku proizvodnju, ova pločica od silicij-oksida daje dosljedne, iznimne rezultate.